铭镓半导体：实现大尺寸氧化镓衬底技术突破！

据北京顺义区融媒体中心发布消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面取得了重大突破，技术水平已领先国际同类产品标准。

铭镓半导体董事长陈政委介绍，铭镓半导体在半绝缘型（010）铁掺衬底及其加导电型薄膜外延领域，目前国际上可做到25毫米×25毫米的尺寸，而铭镓半导体已经能够稳定生产40毫米×25毫米的尺寸，并累计了一定的库存。此外，在导电型（001）锡掺衬底及其加导电型薄膜外延方面，国际上目前的尺寸为4英寸，而铭镓半导体已经实现了大尺寸衬底工艺的突破，未来将逐步稳定工艺供货。

北京铭镓半导体有限公司成立于2020年，不仅是国内率先研发生产新型半导体氧化镓材料的企业之一，同时也是国内少数能够生产磷化铟晶体和大尺寸掺杂光学晶体的企业，技术水平处于国际领先地位。公司拥有高科技、高利税、高附加值、高就业带动和高成长性的优势，并组建了一支国际化的研发团队。团队核心成员包括来自日本国立佐贺大学、东京大学、清华大学、九州大学和中国科学院等知名学府的多位博士，以及拥有10余年行业经验的博蓝特、露笑科技、有研材料、中芯国际和美国通美等公司及科研院所的总监级产业技术人才。铭镓对标“国瓷材料”、“日本京瓷”的发展路径，以半导体材料为核心，突破 “卡脖子”技术为使命，最终实现国产替代。目前，公司全面量产化，为全球下游客户提供高质量材料供应和技术服务，拥有产线超30000平米。